[发明专利] 一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法 – CN114156179A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
|---|---|---|---|
|
申请号
|
CN202111269452.6 |
申请日
|
20211029 |
|
公开（公告）号
|
CN114156179A |
公开（公告）日
|
20220308 |
|
申请（专利权）人
|
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | ||
|
申请人地址
|
200050 上海市长宁区长宁路865号
|
||
|
发明人
|
魏星;戴荣旺;汪子文;薛忠营;陈猛;徐洪涛;李名浩 | 专利类型 | 发明专利 |
|
摘要
|
本发明涉及一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法。本发明通过控制快速热处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，具有良好的应用前景。 | ||
|
主权项
|
1.一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法，包括：将具有SOI结构的晶圆装载进入至快速热处理反应腔室，装载温度为100℃‑400℃，气氛为纯Ar，保持10s‑120s；然后将气氛切换为Ar+n％H2混合气氛开始升温，n小于10；升温至1150℃‑1300℃后开始退火，退火时间为10s‑120s；退火过程结束后保持气氛环境为纯Ar，降温至600℃以下后取出，即可。 | ||
|
IPC信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
IPC主分类号
|
H01L21/324 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L21/324 用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/322优先）〔2〕 |
|||
|
法律状态信息
|
|||||
|---|---|---|---|---|---|
|
法律状态公告日
|
20220308 |
法律状态
|
公开 | 法律状态信息 |
CN202111269452 20220308 公开 公开
|
|
代理信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
代理机构名称
|
上海泰博知识产权代理有限公司 31451 |
代理人姓名
|
魏峯 |