[发明专利] 一种提高自组装单分子载流子传输层吸附密度的方法 – CN114094019A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111279464.7
申请日
20211028
公开(公告)号
CN114094019A
公开(公告)日
20220225
申请(专利权)人
浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址
311121 浙江省杭州市余杭区五常街道余杭塘路2159-1号1幢5楼
发明人
寿春晖;孙娟娟;杨熹;应智琴;贺海晏;黄绵吉;丁莞尔;盛江;孙靖淞;闫宝杰;叶继春 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一种提高自组装单分子载流子传输层吸附密度的方法,包括步骤:在常温下,利用磁控溅射镀膜设备在干净的基底上制备NiOx空穴传输层;调控基底上的结合位点,由于基底表面含有羟基,选择含锚定基团的有机物与表面为NiOx空穴传输层的基底发生反应。本发明的有益效果是:选择含锚定基团的有机物与表面为NiOx空穴传输层的基底发生反应,通过调控基底的结合位点,选择合适(分子量大小,对称性,极性等)的含锚定基团的有机物,再通过调节锚定基团的含量、沉积方式,生长方向等来制备高吸附密度,强极性等所需性能;含‑OR官能团层的加入,阻止透明导电氧化物基底与活性层的直接接触;有利于提高含锚定基团有机物的吸附密度。
主权项
1.一种提高自组装单分子载流子传输层吸附密度的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、利用磁控溅射镀膜设备在干净的基底上制备NiOx空穴传输层:当磁控溅射镀膜设备的工作压强小于设定值时,通过控制氧气和氩气的流速来对O2/(Ar+O2)进行控制,调节氩气与氧气的混合气体中氧气的占比O2/(Ar+O2)至0~50%内;制备得到NiOx空穴传输层;步骤2、调控经过步骤1处理后的基底上的结合位点,选择含锚定基团的有机物与表面为NiOx空穴传输层的基底发生反应。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L51/48
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L51/48 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220225
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111279464 20220225 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
杭州九洲专利事务所有限公司 33101
代理人姓名
张羽振