[发明专利] 一种掩模参数优化方法及装置 – CN114137792A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111274722.2
申请日
20211029
公开(公告)号
CN114137792A
公开(公告)日
20220304
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
何建芳;韦亚一;粟雅娟;董立松;张利斌;陈睿;马乐 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种掩模参数优化方法,方法包括:获取测试图形、光源参数、初始掩模参数,初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角;根据初始掩模参数中的初始掩模侧壁角生成多组候选掩模参数;多组候选掩模参数包括的不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度;基于测试图形和光源参数得到每组候选掩模参数的成像对比度;根据成像对比度从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。通过生成多组包括不同掩模侧壁角和相同掩模厚度的掩模参数,并对这些组掩模参数分别进行模拟,以得到每组掩模参数的成像对比度,从而根据成像对比度找到最优掩模侧壁角。从而,通过对多层膜透镜结构的掩模参数进行优化,也可以显著改善成像对比度,并提升成像分辨力。
主权项
1.一种掩模参数优化方法,其特征在于,所述方法包括:获取测试图形、光源参数、以及初始掩模参数,所述初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角;根据所述初始掩模参数中的初始掩模侧壁角,生成多组候选掩模参数;所述多组候选掩模参数包括的不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度;基于所述测试图形和所述光源参数,得到每组候选掩模参数的成像对比度;根据所述成像对比度,从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
G03F1/00
G 物理

G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术

G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备

G03F1/00 用于图纹面的照相制版的原版的制备(一般照相制版工艺入G03F7/00)〔3〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220304
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111274722 20220304 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
付婧