[发明专利] 一种接触孔及DRAM的制造方法 – CN114093833A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010751260.8 |
申请日
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20200730 |
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公开（公告）号
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CN114093833A |
公开（公告）日
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20220225 |
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申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 | ||
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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尹洪权;周娜;李俊杰 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本发明涉及一种接触孔及DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有光刻工艺的临界尺寸导致接触孔的相关尺寸被限制的问题。该制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成器件层；在器件层上由下至上顺序形成底部硬掩模层、第二掩模层和第一掩模层；将第二掩模层形成为第一图案和第二图案组成的组合图案；将第二掩模层图案转移为侧墙图案，并去除第二掩模层图案；将侧墙图案转移到底部硬掩模层上以形成底部硬掩模层图案；以及以底部硬掩模层图案为掩模刻蚀器件层以形成接触孔图案。侧墙转移技术与淀积薄膜厚度相关，使侧墙转移技术尺寸不受光刻条件限制。 | ||
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主权项
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1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成器件层；在所述器件层上由下至上顺序形成底部硬掩模层、第二掩模层和第一掩模层；将所述第二掩模层形成为第一图案和第二图案组成的组合图案；将第二掩模层图案转移为侧墙图案，并去除第二掩模层图案；将所述侧墙图案转移到所述底部硬掩模层上以形成底部硬掩模层图案；以及以所述底部硬掩模层图案为掩模刻蚀所述器件层以形成接触孔图案。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L23/48 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线、接线端装置（一般入H01R）〔2〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220225 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010751260 20220225 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 |
代理人姓名
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姚东华 |