[发明专利] 一种抗辐照金属氧化物半导体器件及其制备方法 – CN114093847A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202111439125.0 |
申请日
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20211129 |
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公开（公告）号
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CN114093847A |
公开（公告）日
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20220225 |
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申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所 | ||
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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毕津顺;马越;韩婷婷;季兰龙 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本公开提供了一种抗辐照金属氧化物半导体器件及其制备方法，其中，该抗辐照金属氧化物半导体器件包括：氧化埋层，在氧化埋层下表面的中部被刻蚀减薄形成一凹槽，凹槽底部即氧化埋层被刻蚀减薄部分为第一氧化埋层，凹槽侧部即氧化埋层未被刻蚀部分为第二氧化埋层，金属氧化物半导体器件，形成于第一氧化埋层的上表面，背板，形成于凹槽内且突出于凹槽，衬底，形成于第二氧化埋层的下表面，冗余层，形成于衬底的下表面。该抗辐照金属氧化物半导体器件将金属氧化物半导体器件对应位置的氧化埋层减薄，再在减薄处设置背板，使氧化埋层中的总剂量辐射产生的固定电荷数量减少使总剂量辐射导致的金属氧化物半导体器件参数飘移的情况被缓解。 | ||
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主权项
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1.一种抗辐照金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：氧化埋层(2)，在所述氧化埋层(2)下表面的中部被刻蚀减薄形成一凹槽，所述凹槽底部即所述氧化埋层(2)被刻蚀减薄部分为第一氧化埋层(21)，所述凹槽侧部即所述氧化埋层(2)未被刻蚀部分为第二氧化埋层(22)；金属氧化物半导体器件(1)，形成于所述第一氧化埋层(21)的上表面；背板(4)，形成于所述凹槽内且突出于所述凹槽；衬底(3)，形成于所述第二氧化埋层(22)的下表面；以及冗余层(5)，形成于所述衬底(3)的下表面。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L23/552 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L23/552 防辐射保护装置，例如光〔5〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220225 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111439125 20220225 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人姓名
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王文思 |