[发明专利] 一种应用于毫米波通信的超材料天线及阵列 – CN114171911A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111655386.6
申请日
20211230
公开(公告)号
CN114171911A
公开(公告)日
20220311
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
万伟康;郑宇翔;王启东 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开一种应用于毫米波通信的超材料天线及阵列,涉及无线通信技术领域,以解决现阶段的应用于毫米波通信的超材料天线仍面临着无法兼具小型化、低剖面和高带宽的问题。所述应用于毫米波通信的超材料天线包括:第一介质层,位于第一介质层下表面的微带馈线,位于第一介质层中具有通孔的的反射板,且反射板的上表面与第一介质层的上表面位于同一平面;形成在第一介质层和反射板上的第二介质层,位于第二介质层上的第一环形超材料结构;形成在第二介质层以及第一环形超材料结构上的第三介质层,位于第三介质层上表面的辐射贴片以及第二环形超材料结构,第二环形超材料结构位于辐射贴片的外围,第一环形超材料结构与第二环形超材料结构相对设置。
主权项
1.一种应用于毫米波通信的超材料天线,其特征在于,所述应用于毫米波通信的超材料天线包括:第一介质层,位于所述第一介质层下表面的微带馈线,位于所述第一介质层中具有通孔的的反射板;形成在所述第一介质层和所述反射板上的第二介质层,位于所述第二介质层上的第一环形超材料结构;形成在所述第二介质层以及所述第一环形超材料结构上的第三介质层,位于所述第三介质层上表面的辐射贴片以及第二环形超材料结构,所述第二环形超材料结构位于所述辐射贴片的外围,所述第一环形超材料结构与所述第二环形超材料结构相对设置。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01Q1/38
H 电学

H01 基本电气元件

H01Q 天线

H01Q1/38 在绝缘支架上由导电层构成的(一般导电体入H01B5/14)

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220311
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111655386 20220311 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京知迪知识产权代理有限公司 11628
代理人姓名
王胜利