[发明专利] 一种存储单元、三维存储器及其操作方法 – CN114093829A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111291237.6
申请日
20211102
公开(公告)号
CN114093829A
公开(公告)日
20220225
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
张刚;李春龙;霍宗亮;叶甜春 专利类型 发明专利
摘要
本公开提供了一种存储单元,包括:沟道层阵列,包括:N个沟道层,N个沟道层沿着第一方向垂直设置在衬底上,N个沟道层外侧依次设置隧穿层及存储层,N为正整数;N个导热芯,分别位于N个沟道层内,且贯穿衬底;热偶阵列,包括:沿着第一方向的负方向生长在衬底上的热偶字线层及位于热偶字线层上的N个热偶层,N个热偶层与N个导热芯一一对应连接;其中,在热偶字线层及N个热偶层中的部分热偶层之间施加第一电势差,对与该部分热偶层连接的导热芯进行加热处理,使与该导热芯对应的沟道层及存储层在隧穿层的隔热作用下分别保持第一预置温度及第二预置温度。本公开还提供了一种三维存储器及其操作方法。
主权项
1.一种存储单元,其特征在于,包括:沟道层阵列,包括:N个沟道层,所述N个沟道层沿着第一方向垂直设置在衬底上,所述N个沟道层外侧依次设置隧穿层及存储层,N为正整数;N个导热芯,分别位于所述N个沟道层内,且贯穿所述衬底;热偶阵列,包括:沿着第一方向的负方向生长在所述衬底上的热偶字线层及位于所述热偶字线层上的N个热偶层,所述N个热偶层与所述N个导热芯一一对应连接;其中,在所述热偶字线层及所述N个热偶层中的部分所述热偶层之间施加第一电势差,对与该部分所述热偶层连接的所述导热芯进行加热处理,使与该导热芯对应的所述沟道层及所述存储层在所述隧穿层的隔热作用下分别保持第一预置温度及第二预置温度。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L23/34
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L23/34 冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置〔2,5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220225
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111291237 20220225 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
王文思