[发明专利] 一种孔处理方法和半导体器件 – CN114256141A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202011018902.X
申请日
20200924
公开(公告)号
CN114256141A
公开(公告)日
20220329
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
李春雨;胡艳鹏;卢一泓 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开一种孔处理方法和半导体器件,涉及半导体制造技术领域,以解决孔顶部宽底部窄引起的接触电阻均匀性变差,孔结构断路的问题,提高半导体器件的性能。提供一衬底;对衬底进行刻蚀,获得孔结构;孔结构的顶部宽底部窄;对孔结构进行处理,上述孔处理方法包括至少一个处理周期,每个处理周期包括:湿法刻蚀阶段,湿法刻蚀阶段包括:在湿法刻蚀剂蒸发的情况下,利用湿法刻蚀工艺对孔结构的侧壁进行刻蚀,以缩小孔结构的底部宽度与顶部宽度的差异;以及位于湿法刻蚀阶段后的成膜阶段,成膜阶段包括:采用原子层沉积工艺在孔结构的侧壁形成氧化膜。所述半导体器件包括利用上述孔处理方法形成的孔结构。
主权项
1.一种孔处理方法,其特征在于,提供一衬底;对所述衬底进行刻蚀,获得孔结构;所述孔结构的顶部宽底部窄;对所述孔结构进行处理,所述孔处理方法包括至少一个处理周期,每个所述处理周期包括:湿法刻蚀阶段,所述湿法刻蚀阶段包括:在湿法刻蚀剂蒸发的情况下,利用湿法刻蚀工艺对所述孔结构的侧壁进行刻蚀,以缩小所述孔结构的底部宽度与顶部宽度的差异;以及位于所述湿法刻蚀阶段后的成膜阶段,所述成膜阶段包括:采用原子层沉积工艺在所述孔结构的侧壁形成氧化膜。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L21/768
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L21/768 利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220329
法律状态
公开 法律状态信息
CN202011018902 20220329 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京知迪知识产权代理有限公司 11628
代理人姓名
王胜利