[发明专利] 一种多态磁性存储器件及制备方法 – CN114068805A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111355394.9
申请日
20211116
公开(公告)号
CN114068805A
公开(公告)日
20220218
申请(专利权)人
中国科学技术大学
申请人地址
230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
发明人
陆亚林;吴清梅;傅正平;崔璋璋;王建林;黄浩亮;黄秋萍 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种多态磁性存储器件及制备方法,该多态磁性存储器件是基于范德瓦尔斯异质结的自旋阀器件,主要由第一磁性层、非磁性层、第二磁性层以及绝缘层叠加构成范德瓦尔斯异质结。该范德瓦尔斯异质结中,在第一磁性层与非磁性层界面处和第二磁性层与非磁性层界面处,引入相反极化方向的自旋积累能够打破原先简并的电子输运状态,从而在电学探测时完整地呈现出四个电阻态。由于四个磁性状态对应四个不同的电阻态,所以可以进一步实现对两个磁性层的四种磁性状态的电学探测,并且通过外电场能够调控四个态的大小和窗口,最终实现在一个存储单元中的多态存储。
主权项
1.一种多态磁性存储器件,其特征在于,所述多态磁性存储器件包括:衬底;位于所述衬底一侧的底电极,所述底电极包括第一底电极与第二底电极;位于所述第一底电极背离所述衬底一侧的第一磁性层;位于所述第一磁性层背离所述衬底一侧的非磁性层;位于所述非磁性层背离所述衬底一侧的第二磁性层,所述第二磁性层在第一方向上延伸覆盖所述第二底电极;所述第一方向平行于所述衬底所在平面,且由所述第一底电极指向所述第二底电极;所述第二磁性层包括铁磁层和反铁磁层;所述第二磁性层包括第一部分,所述第一部分位于所述第二底电极背离所述第一底电极一侧;位于所述第一部分背离所述衬底一侧的绝缘层;位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的顶电极。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L43/08
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220218
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111355394 20220218 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人姓名
张珊珊