[发明专利] 一种多态磁性存储器件及制备方法 – CN114068805A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
|---|---|---|---|
|
申请号
|
CN202111355394.9 |
申请日
|
20211116 |
|
公开（公告）号
|
CN114068805A |
公开（公告）日
|
20220218 |
|
申请（专利权）人
|
中国科学技术大学 | ||
|
申请人地址
|
230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
|
||
|
发明人
|
陆亚林;吴清梅;傅正平;崔璋璋;王建林;黄浩亮;黄秋萍 | 专利类型 | 发明专利 |
|
摘要
|
本发明提供了一种多态磁性存储器件及制备方法，该多态磁性存储器件是基于范德瓦尔斯异质结的自旋阀器件，主要由第一磁性层、非磁性层、第二磁性层以及绝缘层叠加构成范德瓦尔斯异质结。该范德瓦尔斯异质结中，在第一磁性层与非磁性层界面处和第二磁性层与非磁性层界面处，引入相反极化方向的自旋积累能够打破原先简并的电子输运状态，从而在电学探测时完整地呈现出四个电阻态。由于四个磁性状态对应四个不同的电阻态，所以可以进一步实现对两个磁性层的四种磁性状态的电学探测，并且通过外电场能够调控四个态的大小和窗口，最终实现在一个存储单元中的多态存储。 | ||
|
主权项
|
1.一种多态磁性存储器件，其特征在于，所述多态磁性存储器件包括：衬底；位于所述衬底一侧的底电极，所述底电极包括第一底电极与第二底电极；位于所述第一底电极背离所述衬底一侧的第一磁性层；位于所述第一磁性层背离所述衬底一侧的非磁性层；位于所述非磁性层背离所述衬底一侧的第二磁性层，所述第二磁性层在第一方向上延伸覆盖所述第二底电极；所述第一方向平行于所述衬底所在平面，且由所述第一底电极指向所述第二底电极；所述第二磁性层包括铁磁层和反铁磁层；所述第二磁性层包括第一部分，所述第一部分位于所述第二底电极背离所述第一底电极一侧；位于所述第一部分背离所述衬底一侧的绝缘层；位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的顶电极。 | ||
|
IPC信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
IPC主分类号
|
H01L43/08 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕 |
|||
|
法律状态信息
|
|||||
|---|---|---|---|---|---|
|
法律状态公告日
|
20220218 |
法律状态
|
公开 | 法律状态信息 |
CN202111355394 20220218 公开 公开
|
|
代理信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
代理机构名称
|
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人姓名
|
张珊珊 |