[发明专利] 一种多层同质的压电结构及制备方法 – CN114124023A 全文链接一 全文链接二
基本信息 | |||
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申请号
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CN202111440361.4 |
申请日
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20211130 |
公开(公告)号
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CN114124023A |
公开(公告)日
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20220301 |
申请(专利权)人
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | ||
申请人地址
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200050 上海市长宁区长宁路865号
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发明人
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欧欣;张丽萍;张师斌;郑鹏程;周鸿燕 | 专利类型 | 发明专利 |
摘要
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本发明公开了一种多层同质的压电结构及制备方法,包括单晶压电层、设置于所述单晶压电层上表面的图案化电极换能器组件,以及位于所述单晶压电层中预设深度处的至少一层反射层;所述反射层与所述单晶压电层为同质材料,并且所述反射层由所述单晶压电层通过离子注入改性而成,以使得所述反射层与所述单晶压电层的声速不同。本发明仅利用离子注入技术,通过调控注入能量和注入剂量,即可在单晶压电层中插入至少一层同质但经由改性而成的反射层,增强对声波的纵向反射,减小能量损耗,提高谐振频率,增大器件的品质因数,大大简化制备工艺,降低成本。 | ||
主权项
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1.一种多层同质的压电结构,其特征在于,包括单晶压电层(1)、设置于所述单晶压电层(1)上表面的图案化电极换能器组件(3),以及位于所述单晶压电层(1)中预设深度处的至少一层反射层(2);所述反射层(2)与所述单晶压电层(1)为同质材料,并且所述反射层(2)由所述单晶压电层(1)通过离子注入改性而成,以使得所述反射层(2)与所述单晶压电层(1)的声速不同。 |
IPC信息
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IPC主分类号
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H03H9/02 | ||
H 电学
H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络,例如谐振电路;谐振器 H03H9/02 零部件〔3〕 |
法律状态信息
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法律状态公告日
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20220301 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111440361 20220301 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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广州三环专利商标代理有限公司 44202 |
代理人姓名
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方秀琴;贾允 |