[发明专利] 一种基于反应回滞曲线制备TiN涂层的控制方法 – CN114107936A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202111448309.3 |
申请日
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20211130 |
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公开（公告）号
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CN114107936A |
公开（公告）日
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20220301 |
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申请（专利权）人
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中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | ||
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申请人地址
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315201 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
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发明人
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汪爱英;祁宇星;陈仁德;周广学;张栋 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本发明公开了一种基于反应回滞曲线制备TiN涂层的控制方法，包括采用高功率脉冲磁控溅射技术，以Ti金属单质靶为金属靶，N2作为反应气体，基于反应气体通入流量先增加后减小测量金属靶放电电压，完成对反应气体通入流量的最小二乘法回归拟合，横坐标为检测点的反应气体流量，纵坐标为检测点的放电电压，拟合出“反应气体流量‑放电靶电压”反应回滞曲线；在反应气体流量上升和下降过程中，同一个气体流量对应的放电电压的差值达到电压差阈值的区域作为反应回滞曲线的过渡区域，在过渡区域选择反应气体的通入流量，实现在基底表面沉积TiN涂层的化学计量比和制备速率的控制。利用该方法能够简单、高效选取制备参数，以高速率稳定制备TiN涂层。 | ||
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主权项
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1.一种基于反应回滞曲线制备TiN涂层的控制方法，其特征在于，包括：采用高功率脉冲磁控溅射技术，以Ti金属单质靶为金属靶，N2作为反应气体，基于反应气体通入流量先增加后减小测量金属靶放电电压，完成对反应气体通入流量的最小二乘法回归拟合，横坐标为检测点的反应气体流量，纵坐标为检测点的放电电压，拟合出反应气体流量‑放电靶电压反应回滞曲线；在反应气体流量上升和下降过程中，同一个气体流量对应的放电电压的差值达到电压差阈值的区域作为反应回滞曲线的过渡区域，在过渡区域选择反应气体的通入流量，采用高功率脉冲磁控溅射技术实现在基底表面沉积TiN涂层的化学计量比和制备速率的控制。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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C23C14/54 | ||
| C 化学；冶金
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆 C23C14/54 镀覆工艺的控制或调节（一般控制或调节入G05）〔4〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220301 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111448309 20220301 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
代理人姓名
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刘诚午 |