[发明专利] 一种埋栅晶体管及其制造方法 – CN114068702A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010753985.0 |
申请日
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20200730 |
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公开（公告）号
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CN114068702A |
公开（公告）日
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20220218 |
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申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 | ||
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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郭炳容;杨涛;卢一泓;胡艳鹏 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本发明公开一种埋栅晶体管及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以改善短沟道效应，提高半导体存储器件的性能。该埋栅晶体管应用于半导体存储器件。埋栅晶体管包括衬底、栅沟槽、栅介质层和栅导体层。栅沟槽设在衬底上，栅沟槽包括上部和下部，栅沟槽的上部和下部相接处形成颈部；栅介质层位于栅沟槽的内壁上；栅导体层位于栅沟槽的下部，并且位于栅介质层的内壁上。本发明提供的埋栅晶体管及其制造方法用于半导体存储器件制作。 | ||
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主权项
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1.一种埋栅晶体管，其特征在于，应用于半导体存储器件，所述埋栅晶体管包括衬底、栅沟槽、栅介质层和栅导体层；所述栅沟槽设在所述衬底上，所述栅沟槽包括上部和下部，所述栅沟槽的上部和下部相接处形成颈部；所述栅介质层位于所述栅沟槽的内壁上；所述栅导体层位于所述栅沟槽的下部，并且位于所述栅介质层的内壁上。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L29/78 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010753985 20220218 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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北京知迪知识产权代理有限公司 11628 |
代理人姓名
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付珍;王胜利 |