[发明专利] 一种在多孔单晶的孔壁构筑异质结的方法 – CN114086210A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111221864.2
申请日
20211020
公开(公告)号
CN114086210A
公开(公告)日
20220225
申请(专利权)人
中国科学院金属研究所
申请人地址
110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
发明人
刘岗;张露露;杨勇强;成会明 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及材料制备领域,具体为一种在多孔单晶的孔壁构筑异质结的方法,解决目前尚无有效方法能够实现在多孔单晶孔壁上构筑异质结的问题。在多孔单晶的制备过程中,首先在多孔模板上进行晶种和第二相的预植入,然后在模板上进行晶体的生长,最后去除模板,得到由多孔单晶与附着在其上的第二相构成的异质结。本发明方法解决了无法利用多孔单晶的孔壁构筑异质结的问题,有助于得到高活性电化学材料和催化材料,具有重要的科学研究和产业应用价值。
主权项
1.一种在多孔单晶的孔壁构筑异质结的方法,其特征在于,在多孔单晶的制备过程中,首先在多孔模板上进行晶种和第二相的预植入,然后在模板上进行晶体的生长,最后去除模板,得到由多孔单晶与附着在其上的第二相构成的异质结。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
C25B11/091
C 化学;冶金

C25 电解或电泳工艺;其所用设备

C25B 生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺;其所用的设备

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220225
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111221864 20220225 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234
代理人姓名
张志伟