[发明专利] 一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统 – CN114107901A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010892022.9
申请日
20200828
公开(公告)号
CN114107901A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
吴金良;尹志岗;张兴旺;郑茂源;程勇 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统,包括:S1,研磨Bi2O3、Fe2O3粉末,将研磨后的混合粉末压制成溅射靶;S2,洗涤衬底,衬底至少包含ZnO(110)或ZnO(001);S3,采用射频溅射使溅射靶的Bi、Fe、O原子沉积在衬底上,得到四方相BiFeO3外延薄膜。本发明提供的方法首次实现了四方相BiFeO3与半导体ZnO的外延集成,对其在非易失信息存储等领域的应用具有重要意义。
主权项
1.一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法,包括:S1,研磨Bi2O3、Fe2O3粉末,将研磨后的混合粉末压制成溅射靶;S2,洗涤衬底,所述衬底至少包含ZnO(110)或ZnO(001);S3,采用射频溅射使所述溅射靶的Bi、Fe、O原子沉积在所述衬底上,得到四方相BiFeO3外延薄膜。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
C23C14/08
C 化学;冶金

C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C14/08 氧化物(C23C14/10优先)〔4〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010892022 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
周天宇