[发明专利] 一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统 – CN114107901A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010892022.9 |
申请日
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20200828 |
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公开（公告）号
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CN114107901A |
公开（公告）日
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20220301 |
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申请（专利权）人
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中国科学院半导体研究所 | ||
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申请人地址
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100083 北京市海淀区清华东路甲35号
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发明人
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吴金良;尹志岗;张兴旺;郑茂源;程勇 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统，包括：S1，研磨Bi2O3、Fe2O3粉末，将研磨后的混合粉末压制成溅射靶；S2，洗涤衬底，衬底至少包含ZnO(110)或ZnO(001)；S3，采用射频溅射使溅射靶的Bi、Fe、O原子沉积在衬底上，得到四方相BiFeO3外延薄膜。本发明提供的方法首次实现了四方相BiFeO3与半导体ZnO的外延集成，对其在非易失信息存储等领域的应用具有重要意义。 | ||
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主权项
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1.一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法，包括：S1，研磨Bi2O3、Fe2O3粉末，将研磨后的混合粉末压制成溅射靶；S2，洗涤衬底，所述衬底至少包含ZnO(110)或ZnO(001)；S3，采用射频溅射使所述溅射靶的Bi、Fe、O原子沉积在所述衬底上，得到四方相BiFeO3外延薄膜。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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C23C14/08 | ||
| C 化学；冶金
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆 C23C14/08 氧化物（C23C14/10优先）〔4〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220301 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010892022 20220301 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人姓名
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周天宇 |