[发明专利] 一种可变尺寸的高功率微波等离子体化学气相沉积设备偏压样品台 – CN114107956A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111424381.2
申请日
20211126
公开(公告)号
CN114107956A
公开(公告)日
20220301
申请(专利权)人
中国科学院金属研究所
申请人地址
110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
发明人
刘鲁生;姜辛;黄楠;翟朝峰;杨兵 专利类型 发明专利
摘要
本发明金刚石膜生长领域,尤其涉及一种可变尺寸的高功率微波等离子体化学气相沉积设备偏压样品台。该样品台的基片放置在钼台的顶部凹槽内,钼台的底部中心沿竖向安装钼螺栓,上下相对水平设置的样品台支座、样品台陶瓷板,与左右相对设置的左L型立板、右L型涉及立板组合为长方体框架结构,钼台通过钼螺栓固定在水平设置的样品台陶瓷板上,样品台支座通过竖向设置的支撑螺栓固定在腔室底板上,直流电源依次通过电源线、航空密封接头、高温导线、钼螺栓与钼台相连接。本发明解决了微波法化学气相沉积金刚石薄膜沉积过程中反应腔体内基片表面增加负偏压电场的均匀性问题,制备出均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量金刚石单晶膜。
主权项
1.一种可变尺寸的高功率微波等离子体化学气相沉积设备偏压样品台,其特征在于,该样品台包括:支撑螺栓、样品台支座、样品台陶瓷板、钼螺栓、钼台、基片、左L型立板、右L型立板,具体结构如下:基片放置在钼台的顶部凹槽内,钼台的底部中心沿竖向安装钼螺栓,上下相对水平设置的样品台支座、样品台陶瓷板,与左右相对设置的左L型立板、右L型立板组合为长方体框架结构,钼台通过钼螺栓固定在水平设置的样品台陶瓷板上,样品台支座通过竖向设置的支撑螺栓固定在腔室底板上。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
C23C16/458
C 化学;冶金

C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/458 在反应室中支承基体的方法〔7〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220301
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111424381 20220301 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234
代理人姓名
张志伟