[发明专利] 一种半导体衬底及其形成方法 – CN114188212A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111467522.9
申请日
20211203
公开(公告)号
CN114188212A
公开(公告)日
20220315
申请(专利权)人
上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
201306 上海市浦东新区泥城镇云水路1000号
发明人
魏星;戴荣旺;汪子文;徐洪涛;陈猛;李名浩 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种半导体衬底及其形成方法,形成方法通过形成第一多晶硅薄层和第二多晶硅薄层以分次形成总的多晶硅薄层,使得其具有更低的应力,及更随机的晶粒取向和更细小的晶粒尺寸,保持高的晶界密度,提高层间的电荷捕获能力;并且通过不同沉积温度下生长的多晶硅薄层的相互作用,以及在每次恒温退火处理后均经过两种降温速率的结合,使得第一多晶硅薄层及第二多晶硅薄层与初始半导体衬底之间的收缩速率减缓,降低了半导体衬底热膨胀失配的程度,减小了多晶硅薄层与初始半导体衬底之间的拉伸程度,使得半导体衬底的翘曲度进一步的降低,从而进一步降低了多晶硅薄层在生长过程中产生的应力。
主权项
1.一种半导体衬底的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:提供一初始半导体衬底,所述初始半导体衬底上形成有第一表面氧化层;S2:在第一目标温度下,在所述第一表面氧化层上形成第一多晶硅薄层;S3:从所述第一目标温度升温至第二目标温度,并在所述第二目标温度下,对所述初始半导体衬底进行恒温退火处理;S4:从所述第二目标温度开始进行第一次降温,并在第一次降温至所述第一目标温度时,开始对所述半导体衬底进行第一次自然降温,其中,第一次降温的降温速率较第一次自然降温的降温速率小;S5:氧化处理所述第一多晶硅薄层的表面,以减薄所述第一多晶硅薄层的厚度,并形成第二表面氧化层;S6:在第三目标温度下,在所述第二表面氧化层上形成第二多晶硅薄层,以形成半导体衬底;S7:从所述第三目标温度升温至第四目标温度,并在所述第四目标温度下,对所述半导体衬底进行恒温退火处理;以及S8:从所述第四目标温度开始进行第二次降温,并在第二次降温至所述第三目标温度时,开始对所述半导体衬底进行第二次自然降温,其中,第二次降温的降温速率较第二次自然降温的降温速率小。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L21/02
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2,8〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220315
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111467522 20220315 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人姓名
张敏