[发明专利] 一种半导体结构及其制造方法 – CN114093869A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010752651.1
申请日
20200730
公开(公告)号
CN114093869A
公开(公告)日
20220225
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
安胜璟;杨涛;卢一泓;胡艳鹏 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一种半导体结构及其制造方法,属于半导体技术领域,解决了现有工艺在形成数据线时,寄生电容对主单元驱动的影响逐渐扩大的问题。该半导体结构包括半导体衬底、位于半导体衬底上的数据线以及位于数据线两侧的侧墙结构,侧墙结构包括第一侧墙、第二侧墙和第三侧墙三层结构,第二侧墙为氧化物,其余两层中至少其中之一的材料为低介电常数材料,低介电常数材料为SiBN或SiCN。本发明能够减少数据线和有源接触件之间形成的寄生电容,抑制寄生电容的形成。
主权项
1.一种半导体结构,其特征在于,包括半导体衬底、位于半导体衬底上的数据线以及位于数据线两侧的侧墙结构,所述侧墙结构包括第一侧墙、第二侧墙和第三侧墙三层结构,所述第二侧墙为氧化物,其余两层中至少其中之一的材料为低介电常数材料。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L27/108
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220225
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010752651 20220225 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386
代理人姓名
丛洪杰