[发明专利] 一种半导体结构、其制造方法及DRAM – CN114093942A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
 CN202010751514.6
申请日
 20200730
公开（公告）号
 CN114093942A
公开（公告）日
 20220225
申请（专利权）人
 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
 郭炳容;卢一泓;李俊杰;高建峰 专利类型 发明专利
摘要
 本申请涉及一种半导体结构、其制造方法及DRAM，属于半导体技术领域，解决了现有技术中由晶体管的尺寸减小而导致的短开口效应和电流泄露以及RC延迟较大的问题。半导体结构包括：半导体衬底；栅极沟槽，位于半导体衬底中，栅极沟槽包括上部和下部，上部和下部相接位置的宽度相对于栅极沟槽的其他部分向内凹入；栅介质层，位于栅极沟槽的内壁上；栅导体层，位于下部内；隔离层，位于上部内，隔离层的底部与栅导体层相接触；以及空气侧墙，被隔离层的底部分隔在栅导体层的两侧，使得栅导体层与栅介质层之间形成空气侧墙。改善了短开口效应并减少了电流泄露并且通过增加空气侧墙，能够减少字线的RC延迟。
主权项
 1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；栅极沟槽，位于所述半导体衬底中，所述栅极沟槽包括上部和下部，所述上部和所述下部相接位置的宽度相对于所述栅极沟槽的其他部分向内凹入；栅介质层，位于所述栅极沟槽的内壁上；栅导体层，位于所述下部内；隔离层，位于所述上部内，所述隔离层的底部与所述栅导体层相接触；以及空气侧墙，被所述隔离层的底部分隔在所述栅导体层的两侧，使得所述栅导体层与所述栅介质层之间形成所述空气侧墙。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
 H01L29/78
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件

H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
 20220225
法律状态
 公开 法律状态信息
CN202010751514 20220225 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386
代理人姓名
 庞许倩