[发明专利] 一种半导体的图形制造方法 – CN114171376A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010945093.0
申请日
20200910
公开(公告)号
CN114171376A
公开(公告)日
20220311
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
郭炳容;贺晓彬;刘金彪;李亭亭 专利类型 发明专利
摘要
本发明的半导体的图形制造方法,在待刻蚀层上形成第一条形图案和第二条形图案,并且在待刻蚀层上沉积预设材料后再进行平坦化处理,至第二条形图案露出之后,能够在两类条形图案重叠的区域先形成第一孔型图案,再在两类条形图案都不存在的待刻蚀层上形成第二孔型图案,进而得到不会短路连接的小间距图形。
主权项
1.一种半导体的图形制造方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,并在半导体衬底上形成待刻蚀层;在所述待刻蚀层上形成第一条形图案和第二条形图案,其中,所述第一条形图案和所述第二条形图案交叉并形成交叉区域;在所述待刻蚀层上沉积预设材料后再进行平坦化处理,至所述第二条形图案露出;刻蚀所述第二条形图案,至所述交叉区域中的所述第一条形图案露出;刻蚀所述交叉区域中的所述第一条形图案,至所述待刻蚀层露出;继续刻蚀露出的所述待刻蚀层以形成第一孔型图案;去除所述预设材料层至所述待刻蚀层露出;刻蚀露出的所述待刻蚀层,以形成第二孔型图案。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L21/033
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L21/033 包括无机层的〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220311
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010945093 20220311 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京华沛德权律师事务所 11302
代理人姓名
房德权