[发明专利] 一种半导体的图形制造方法 – CN114171376A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
|---|---|---|---|
|
申请号
|
CN202010945093.0 |
申请日
|
20200910 |
|
公开（公告）号
|
CN114171376A |
公开（公告）日
|
20220311 |
|
申请（专利权）人
|
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 | ||
|
申请人地址
|
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
|
||
|
发明人
|
郭炳容;贺晓彬;刘金彪;李亭亭 | 专利类型 | 发明专利 |
|
摘要
|
本发明的半导体的图形制造方法，在待刻蚀层上形成第一条形图案和第二条形图案，并且在待刻蚀层上沉积预设材料后再进行平坦化处理，至第二条形图案露出之后，能够在两类条形图案重叠的区域先形成第一孔型图案，再在两类条形图案都不存在的待刻蚀层上形成第二孔型图案，进而得到不会短路连接的小间距图形。 | ||
|
主权项
|
1.一种半导体的图形制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，并在半导体衬底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一条形图案和第二条形图案，其中，所述第一条形图案和所述第二条形图案交叉并形成交叉区域；在所述待刻蚀层上沉积预设材料后再进行平坦化处理，至所述第二条形图案露出；刻蚀所述第二条形图案，至所述交叉区域中的所述第一条形图案露出；刻蚀所述交叉区域中的所述第一条形图案，至所述待刻蚀层露出；继续刻蚀露出的所述待刻蚀层以形成第一孔型图案；去除所述预设材料层至所述待刻蚀层露出；刻蚀露出的所述待刻蚀层，以形成第二孔型图案。 | ||
|
IPC信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
IPC主分类号
|
H01L21/033 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L21/033 包括无机层的〔5〕 |
|||
|
法律状态信息
|
|||||
|---|---|---|---|---|---|
|
法律状态公告日
|
20220311 |
法律状态
|
公开 | 法律状态信息 |
CN202010945093 20220311 公开 公开
|
|
代理信息
|
|||
|---|---|---|---|
|
代理机构名称
|
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人姓名
|
房德权 |