[发明专利] 一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备 – CN114068538A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010761555.3
申请日
20200731
公开(公告)号
CN114068538A
公开(公告)日
20220218
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
张铉瑀;许民;吴容哲;杨涛;高建峰;殷华湘 专利类型 发明专利
摘要
本公开提供了一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备。该结构包括半导体基底及其上的间隔分布的多个焊垫,下电极位于焊垫上。相邻的下电极的侧壁之间设置有至少两层下支撑件。动态随机存取存储器包括本公开的电容器结构。该设备包括本公开的动态随机存取存储器。该方法包括:在半导体基底上形成焊垫且形成第一叠层和第二叠层。第一叠层包括一层下模制层、两层下支撑层及处于两层下支撑层之间的处置层,第二叠层包括上模制层和上支撑层。刻蚀第二叠层和第一底层,从而形成至少两层下支撑件及上支撑件。本公开在相邻的两电极之间沿着垂直于基底的方向上具有多个下支撑件,从而解决了由于倾斜裕量不足导致的电容器高度上限问题。
主权项
1.一种半导体电容器结构,其特征在于,包括:半导体基底,所述半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫;下电极,所述下电极的底部位于所述焊垫上;至少两层下支撑件,均设置于相邻的所述下电极的侧壁之间;至少一层上支撑件,也设置于相邻的所述下电极的侧壁之间;所述上支撑件处于所述下支撑件的上方。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L27/108
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220218
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010761555 20220218 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
刘广达