[发明专利] 一种半导体器件及其制造方法 – CN114256354A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111535097.2
申请日
20211215
公开(公告)号
CN114256354A
公开(公告)日
20220329
申请(专利权)人
北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请人地址
100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11号楼4层
发明人
黄伟兴;朱慧珑 专利类型 发明专利
摘要
本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法,包括衬底、第一电极层、功能层和第二电极层,功能层位于第一电极层和第二电极层中间,功能层包括第一区域和包围第一区域的U型结构的第二区域,第二区域的U型开口的朝向平行于衬底且远离第一区域,即U型开口朝向外侧,第一区域的材料至少包括锗,第二区域包括依次层叠的U型铁电层和U型栅极。本申请实施例利用U型结构的铁电层作为存储器件的存储层,在保持栅极电压不变的情况下,U型沟道可以增大铁电层的电场,从而增大整个半导体器件的存储窗口,并且在保持整个半导体器件的存储窗口不变的情况下,还可以降低栅极电压,从而降低半导体器件的功耗,提升存储器件的性能。
主权项
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:衬底;第一电极层,位于所述衬底的一侧;功能层,位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧,所述功能层包括第一区域和包围所述第一区域的U型结构的第二区域,所述第二区域的U型开口的朝向平行于所述衬底且远离所述第一区域,所述第一区域的材料至少包括锗,所述第二区域包括依次层叠的U型铁电层和U型栅极;第二电极层,位于所述功能层远离所述衬底的一侧,所述第一电极层为源极层或漏极层中的一种,所述第二电极层为源极层或漏极层中的另一种。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L29/78
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220329
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111535097 20220329 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人姓名
柳虹