[发明专利] 一种半导体器件及其制造方法 – CN114068536A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202010752381.4
申请日
20200730
公开(公告)号
CN114068536A
公开(公告)日
20220218
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
郭炳容;杨涛;卢一泓;胡艳鹏 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体制造技术领域,以解决存储接触部和位线结构之间产生的寄生电容较大,从而影响半导体器件工作性能的问题。所述半导体器件包括:具有有源区的半导体衬底;形成在半导体衬底上的位线结构,位线结构包括接触部,以及位于接触部上的位线主体,接触部与有源区的其中一部分接触;以及形成在相邻两个位线结构之间的存储接触部,存储接触部与有源区的另一部分接触;其中,位线主体在接触部上方的部分具有比位线主体的其他部分低的顶部高度。所述半导体器件的制造方法用于制造半导体器件。
主权项
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:具有有源区的半导体衬底;形成在所述半导体衬底上的位线结构,所述位线结构包括接触部,以及位于所述接触部上的位线主体,所述接触部与所述有源区的其中一部分接触;以及形成在相邻两个所述位线结构之间的存储接触部,所述存储接触部与所述有源区的另一部分接触;其中,所述位线主体在所述接触部上方的部分具有比所述位线主体的其他部分低的顶部高度。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L27/108
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220218
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010752381 20220218 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
北京知迪知识产权代理有限公司 11628
代理人姓名
王胜利