[发明专利] 一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构及其制备方法 – CN114156403A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202111276576.7 |
申请日
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20211029 |
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公开（公告）号
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CN114156403A |
公开（公告）日
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20220308 |
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申请（专利权）人
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中国科学院合肥物质科学研究院;中国科学技术大学 | ||
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申请人地址
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230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
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发明人
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盛志高;张振宇;刘财兴 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本发明公开一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构，涉及磁存储技术领域，本发明包括相互叠加的二维范德瓦尔斯铁磁层和二维范德瓦尔斯反铁磁层，所述铁磁层和反铁磁层的厚度均为2‑200nm，所述铁磁层和反铁磁层的厚度之比为x:(1‑x)，其中x范围为0.1‑0.9。本发明的有益效果在于：现有的交换偏置难以调控偏置大小，在已知能够诱导出交换偏置的情况下，也并不能对交换偏置场的大小进行调控，本发明通过调整铁磁层和反铁磁层厚度的相对比例，从而实现并调控交换偏置大小。反铁磁层占比越高，交换偏置场越大。 | ||
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主权项
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1.一种交换偏置大小可调的二维范德瓦尔斯同质结构，其特征在于：包括相互叠加的二维范德瓦尔斯铁磁层和二维范德瓦尔斯反铁磁层，所述铁磁层和反铁磁层的厚度均为2‑200nm，所述铁磁层和反铁磁层的厚度之比为x:(1‑x)，其中x范围为0.1‑0.9。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L43/08 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220308 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111276576 20220308 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 |
代理人姓名
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缪璐欢 |