[发明专利] 一种三维SERS基底及其制备方法和应用 – CN114113031A 全文链接一 全文链接二
基本信息 | |||
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申请号
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CN202111250589.7 |
申请日
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20211026 |
公开(公告)号
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CN114113031A |
公开(公告)日
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20220301 |
申请(专利权)人
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中国科学院微电子研究所 | ||
申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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刘洋;毛海央;黄成军 | 专利类型 | 发明专利 |
摘要
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本发明涉及一种三维SERS基底的制备方法,由该方法获得的三维SERS基底的均匀性好且比表面积大,同时工艺简单且操作方便。此外,本发明方法不涉及紫外光刻、电子束光刻等,无需使用价格昂贵的设备,因此成本低廉。本发明的三维SERS基底表面密集均匀分布有贵金属纳米颗粒,在激发光的照射下,贵金属纳米颗粒间的电磁耦合会产生丰富的3D SERS“热点”,使得本发明的SERS基底具有高的灵敏度,可作为SERS检测的敏感区域被集成到具有不同材料的基板中,用于各种分子检测。另外,本发明的三维SERS基底在被紫外线照射后可实现对待检测分子的快速全部降解,因而使得该基底可被循环使用,避免了传统SERS基底一次性使用的问题,且成本低廉,适合大批量生产。 | ||
主权项
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1.一种三维SERS基底的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底的上表面形成聚合物层,其中所述聚合物层的材质为可接受等离子体轰击的聚合物材料;对所述聚合物层进行等离子体轰击,从而形成纳米森林结构;在所述纳米森林结构表面形成金属氧化物膜;通过水热法在所述金属氧化物膜表面形成金属氧化物纳米棒;以及在所述金属氧化物膜表面和所述金属氧化物纳米棒表面形成贵金属层,从而得到三维SERS基底。 |
IPC信息
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IPC主分类号
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G01N21/65 | ||
G 物理
G01 测量;测试 G01N 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料 G01N21/65 喇曼散射〔3〕 |
法律状态信息
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法律状态公告日
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20220301 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111250589 20220301 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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北京辰权知识产权代理有限公司 11619 |
代理人姓名
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张晓玲 |