[实用新型] 一种超快高分辨并行读出单光子探测器 – CN215865490U 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202121523985.8 |
申请日
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20210706 |
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公开（公告）号
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CN215865490U |
公开（公告）日
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20220218 |
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申请（专利权）人
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中国科学院西安光学精密机械研究所 | ||
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申请人地址
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710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号
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发明人
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张蕊利;刘永安;赵惠;盛立志;樊学武;刘哲;杨向辉 | 专利类型 | 实用新型 |
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摘要
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本实用新型涉及一种超快高分辨并行读出单光子探测器，以解决现有的位敏阳极探测器空间分辨率较低，且无法处理重叠事件的问题。该探测器包括管壳壳体、带有光电阴极的输入窗、微通道板组件、半导体阳极组件及图像处理单元。半导体阳极组件包括像素电荷收集电极、像素电荷读出电子器件、绝缘基底和引线电极；像素电荷读出电子器件包括阵列排布的多个像素电荷读出单元，像素电荷收集电极包括阵列排布的多个像敏单元，像敏单元为像素化单片；每个像敏单元通过凸点焊球与相应的像素电荷读出单元连接，每个像素电荷读出单元与相应的引线电极一端连接，引线电极另一端穿出绝缘基底并与图像处理单元连接。 | ||
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主权项
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1.一种超快高分辨并行读出单光子探测器，包括管壳壳体(1)、输入窗(2)、微通道板组件(4)、半导体阳极组件(5)以及图像处理单元；所述输入窗(2)和半导体阳极组件(5)分别设置在管壳壳体(1)的两端开口处，形成真空密封腔；所述输入窗(2)的内侧设置有光电阴极(3)；所述微通道板组件(4)设置在真空密封腔内；其特征在于：所述半导体阳极组件(5)包括像素电荷收集电极(51)、像素电荷读出电子器件(53)、绝缘基底(54)和引线电极(55)；所述绝缘基底(54)与管壳壳体(1)密封连接；所述像素电荷读出电子器件(53)设置在绝缘基底(54)内侧，包括阵列排布的多个像素电荷读出单元；所述像素电荷收集电极(51)设置在像素电荷读出电子器件(53)内侧，包括阵列排布的多个像敏单元；所述像敏单元为像素化单片；每个像敏单元通过凸点焊球(52)与相应的像素电荷读出单元连接；每个像素电荷读出单元与相应的引线电极(55)一端连接，引线电极(55)另一端穿出绝缘基底(54)并与图像处理单元连接。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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G01J1/44 | ||
| G 物理
G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法 G01J1/44 电路 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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授权 | 法律状态信息 |
CN202121523985 20220218 授权 授权
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代理信息
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代理机构名称
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西安智邦专利商标代理有限公司 61211 |
代理人姓名
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胡菀 |