[发明专利] 激光器及其制作方法 – CN114079228A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010820966.5 |
申请日
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20200814 |
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公开（公告）号
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CN114079228A |
公开（公告）日
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20220222 |
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申请（专利权）人
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | ||
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申请人地址
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215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
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发明人
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蒋成;张子旸 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本发明公开了一种激光器，包括衬底以及依序层叠在衬底上的第一反射结构、第一电极、第一透明绝缘层、发光层、第二透明绝缘层，第二透明绝缘层的背向发光层的表面上设有第二电极和第二反射结构，发光层包括沿背向第一透明绝缘层的方向依序层叠的第一二维半导体材料层和第二二维半导体材料层，第一电极的至少部分与第一二维半导体材料层接触，第二电极的至少部分与第二二维半导体材料层接触；其中，第一透明绝缘层和第二透明绝缘层为防水防氧材料。本发明还公开了上述激光器的制作方法。本发明解决了采用二维半导体材料层制成的激光器的发光层容易受到污染而性能变差甚至失效的问题。 | ||
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主权项
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1.一种激光器，其特征在于，包括衬底以及依序层叠在所述衬底上的第一反射结构、第一电极、第一透明绝缘层、发光层、第二透明绝缘层，所述第二透明绝缘层的背向所述发光层的表面上设有第二电极和第二反射结构，所述发光层包括沿背向所述第一透明绝缘层的方向依序层叠的第一二维半导体材料层和第二二维半导体材料层；其中，所述第一二维半导体材料层和所述第二二维半导体材料层之间形成PN结，所述第一电极的至少部分与所述第一二维半导体材料层接触，所述第二电极的至少部分与所述第二二维半导体材料层接触，所述第一透明绝缘层和所述第二透明绝缘层由防水防氧材料制成。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01S5/32 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/32 含有PN结的，例如异结的或双异质结的结构（H01S5/34,H01S5/36优先）〔7〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220222 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010820966 20220222 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 |
代理人姓名
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孙伟峰 |