[发明专利] 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备 – CN114068533A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202111335863.0 |
申请日
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20181026 |
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公开（公告）号
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CN114068533A |
公开（公告）日
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20220218 |
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申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所 | ||
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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朱慧珑 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备。根据本公开的实施例，半导体器件可以包括：衬底、依次叠置在衬底上的第一器件和第二器件。第一器件和第二器件各自均包括：从下至上依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，以及绕沟道层的至少部分外周形成的栅堆叠，第一器件和第二器件各自的沟道层的侧壁中至少部分沿不同的晶体晶面或晶面族延伸。 | ||
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主权项
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1.一种半导体器件，包括：衬底；依次叠置在衬底上的第一器件和第二器件，第一器件和第二器件各自均包括：从下至上依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，以及绕沟道层的至少部分外周形成的栅堆叠，第一器件和第二器件各自的沟道层的侧壁中至少部分沿不同的晶体晶面或晶面族延伸，且沟道中的电流方向实质上垂直于衬底。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L27/092 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L27/092 互补MIS场效应晶体管〔5〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111335863 20220218 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人姓名
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倪斌 |