[发明专利] 光刻质量的优化方法、装置、电子设备、介质及程序产品 – CN114065573A 全文链接一 全文链接二
基本信息 | |||
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申请号
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CN202111285528.4 |
申请日
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20211101 |
公开(公告)号
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CN114065573A |
公开(公告)日
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20220218 |
申请(专利权)人
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中国科学院微电子研究所 | ||
申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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刘丽红;韦亚一;丁虎文 | 专利类型 | 发明专利 |
摘要
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本公开提供了一种光刻质量的优化方法,包括:基于特征矩阵法与布洛赫定理,确定由金属膜层表面粗糙度引入的波函数杂散项;将波函数杂散项输入至光刻质量偏差数学模型中进行计算仿真,得到金属膜层粗糙度对光刻质量的影响分析曲线,该影响分析曲线表征金属膜层粗糙度对光刻质量的影响结果;根据影响结果,降低金属膜层表面的粗糙度和/或在位于金属‑介质单元上方的掩膜版和空气之间设置金属‑介质多层膜结构,以优化金属‑介质单元的光刻质量。本公开还提供了一种光刻质量的优化装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品。 | ||
主权项
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1.一种光刻质量的优化方法,其特征在于,包括:基于特征矩阵法与布洛赫定理,确定由金属膜层表面粗糙度引入的波函数杂散项;将所述波函数杂散项输入至光刻质量偏差数学模型中进行计算仿真,得到所述金属膜层粗糙度对光刻质量的影响分析曲线,该影响分析曲线表征所述金属膜层粗糙度对光刻质量的影响结果;根据所述影响结果,降低所述金属膜层表面的粗糙度和/或在位于金属‑介质单元上方的掩膜版和空气之间设置金属‑介质多层膜结构,以优化所述金属‑介质单元的光刻质量。 |
IPC信息
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IPC主分类号
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G06F30/23 | ||
G 物理
G06 计算;推算;计数 G06F 电数字数据处理 |
法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202111285528 20220218 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人姓名
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王文思 |