[发明专利] 光刻质量的优化方法、装置、电子设备、介质及程序产品 – CN114065573A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111285528.4
申请日
20211101
公开(公告)号
CN114065573A
公开(公告)日
20220218
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
刘丽红;韦亚一;丁虎文 专利类型 发明专利
摘要
本公开提供了一种光刻质量的优化方法,包括:基于特征矩阵法与布洛赫定理,确定由金属膜层表面粗糙度引入的波函数杂散项;将波函数杂散项输入至光刻质量偏差数学模型中进行计算仿真,得到金属膜层粗糙度对光刻质量的影响分析曲线,该影响分析曲线表征金属膜层粗糙度对光刻质量的影响结果;根据影响结果,降低金属膜层表面的粗糙度和/或在位于金属‑介质单元上方的掩膜版和空气之间设置金属‑介质多层膜结构,以优化金属‑介质单元的光刻质量。本公开还提供了一种光刻质量的优化装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品。
主权项
1.一种光刻质量的优化方法,其特征在于,包括:基于特征矩阵法与布洛赫定理,确定由金属膜层表面粗糙度引入的波函数杂散项;将所述波函数杂散项输入至光刻质量偏差数学模型中进行计算仿真,得到所述金属膜层粗糙度对光刻质量的影响分析曲线,该影响分析曲线表征所述金属膜层粗糙度对光刻质量的影响结果;根据所述影响结果,降低所述金属膜层表面的粗糙度和/或在位于金属‑介质单元上方的掩膜版和空气之间设置金属‑介质多层膜结构,以优化所述金属‑介质单元的光刻质量。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
G06F30/23
G 物理

G06 计算;推算;计数

G06F 电数字数据处理

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220218
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111285528 20220218 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
王文思