[发明专利] 一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法 – CN114075698A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010834451.0 |
申请日
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20200818 |
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公开（公告）号
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CN114075698A |
公开（公告）日
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20220222 |
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申请（专利权）人
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中国科学院半导体研究所 | ||
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申请人地址
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100083 北京市海淀区清华东路甲35号
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发明人
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尹志岗;张兴旺;吴金良 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法，包括：在刚性衬底上生长氧化锌缓冲层，在氧化锌缓冲层上外延生长铁酸钴单晶薄膜，在铁酸钴单晶薄膜上旋涂一层溶有黑蜡的有机溶剂，得到黑蜡薄膜保护层，将刚性衬底放置在酸液中湿法腐蚀氧化锌缓冲层，待氧化锌缓冲层腐蚀完毕，得到的具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜，将具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜转移到柔性薄膜衬底上，并使其在柔性薄膜衬底上静止干燥，使用有机溶剂清洗掉铁酸钴单晶薄膜上的黑蜡薄膜保护层，得到铁酸钴柔性单晶薄膜。本公开提供的制备方法具有过程简单、成本低、可控性强等优点，实现了铁酸钴单晶薄膜的柔性化，对发展基于铁酸钴的柔性功能器件具有重要意义。 | ||
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主权项
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1.一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在刚性衬底上生长氧化锌缓冲层；在所述氧化锌缓冲层上外延生长铁酸钴单晶薄膜；在所述铁酸钴单晶薄膜上旋涂一层溶有黑蜡的有机溶剂；加热所述铁酸钴单晶薄膜上的所述有机溶剂，得到黑蜡薄膜保护层；将所述刚性衬底放置在酸液中湿法腐蚀所述氧化锌缓冲层；待所述氧化锌缓冲层腐蚀完毕，得到的具有所述黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜；将具有所述黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜转移到柔性薄膜衬底上，并使其在所述柔性薄膜衬底上静止干燥；使用有机溶剂清洗掉所述铁酸钴单晶薄膜上的所述黑蜡薄膜保护层，得到铁酸钴柔性单晶薄膜。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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C30B29/22 | ||
| C 化学；冶金
C30 晶体生长 C30B 单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置 C30B29/22 复合氧化物〔3〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220222 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010834451 20220222 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人姓名
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周天宇 |