[发明专利] 一种硬掩模图案的制造方法和DRAM电容的制造方法 – CN114093754A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
 CN202010857799.1
申请日
 20200824
公开（公告）号
 CN114093754A
公开（公告）日
 20220225
申请（专利权）人
 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
 俞景植;项金娟;卢一泓;杨涛;王文武;李俊峰 专利类型 发明专利
摘要
 本发明实施例提供一种硬掩模图案的制造方法和DRAM电容的制造方法，涉及半导体技术领域，不但可以避免因刻蚀多晶硅的时间过长，影响绝缘膜的图案，还可以避免在单独刻蚀二氧化钛膜时，损伤既有的金属层，影响金属层在基板中的功能。所述硬掩模图案的制造方法包括：提供半导体衬底，所述衬底上形成有待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成硬掩模层，所述硬掩模层包括从下至上叠置的多晶硅膜、二氧化钛膜、和二氧化硅膜；对所述硬掩模层进行图案化处理，得到硬掩模图案。
主权项
 1.一种硬掩模图案的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述衬底上形成有待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成硬掩模层，所述硬掩模层包括从下至上叠置的多晶硅膜、二氧化钛膜、和二氧化硅膜；对所述硬掩模层进行图案化处理，得到硬掩模图案。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
 H01L21/027
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件

H01L21/027 未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
 20220225
法律状态
 公开 法律状态信息
CN202010857799 20220225 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
 北京知迪知识产权代理有限公司 11628
代理人姓名
 王胜利