[发明专利] 一种硬掩模去除方法和DRAM的制造方法 – CN114068321A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
 CN202010751670.2
申请日
 20200730
公开（公告）号
 CN114068321A
公开（公告）日
 20220218
申请（专利权）人
 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
 姜东勋;李俊杰;周娜;李琳;王佳 专利类型 发明专利
摘要
 本发明涉及一种硬掩模去除方法和DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的去除硬掩膜方法需要设置保护层否则会导致下层损害或损失。硬掩模去除方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上方自下而上顺序形成基底材料层、待刻蚀层和硬掩模层图案，其中，基底材料层的材料与硬掩模层的材料为相同或相似物质；以硬掩模层图案为掩模，刻蚀待刻蚀层以形成接触孔，其中，接触孔为高横竖比孔；以及通过等离子体刻蚀去除硬掩模层的剩余材料，并且保持基底材料层未被刻蚀。不需要高横竖比孔中的保护层来保护基底材料层的情况下，在刻蚀后去除硬掩模层时也能够保持基底材料层未被刻蚀。
主权项
 1.一种硬掩模去除方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上方自下而上顺序形成基底材料层、待刻蚀层和硬掩模层图案，其中，所述基底材料层的材料与所述硬掩模层的材料为相同或相似物质；以所述硬掩模层图案为掩模，刻蚀所述待刻蚀层以形成接触孔，其中，所述接触孔为高横竖比孔；以及通过等离子体刻蚀去除所述硬掩模层的剩余材料，并且保持所述基底材料层未被刻蚀。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
 H01L21/308
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件

H01L21/308 应用掩膜的（H01L21/3063，H01L21/3065优先）〔2，6〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
 20220218
法律状态
 公开 法律状态信息
CN202010751670 20220218 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386
代理人姓名
 牛洪瑜