[发明专利] 一种基于二维磁性材料的突触器件及其应用 – CN114068804A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
CN202111337684.0
申请日
20211116
公开(公告)号
CN114068804A
公开(公告)日
20220218
申请(专利权)人
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址
215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
发明人
曾中明;张宝顺;王启丽泰;涂华垚;陈倩 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种基于二维磁性材料的突触器件及其应用。所述突触器件包括:第一电极、第二电极和磁性功能层;所述磁性功能层设置于第一电极和第二电极之间;并且,所述磁性功能层包含两个以上铁磁层,两个以上所述铁磁层沿所述磁性功能层的厚度方向层叠设置,所述铁磁层由二维磁性材料形成;所述第一电极、第二电极还与电压源电连接,所述电压源用于调控所述磁性功能层中的至少一个铁磁层的磁矩翻转,并使所述磁性功能层生成多态信号。本发明中的基于二维磁性材料的突触器件,器件整体尺寸小,具有较高的集成度和集成自由,且功耗低。
主权项
1.一种基于二维磁性材料的突触器件,其特征在于包括:第一电极、第二电极和磁性功能层;所述磁性功能层设置于第一电极和第二电极之间;并且,所述磁性功能层包含两个以上铁磁层,两个以上所述铁磁层沿所述磁性功能层的厚度方向层叠设置,所述铁磁层由二维磁性材料形成;所述第一电极、第二电极还与电压源电连接,所述电压源用于调控所述磁性功能层中的至少一个铁磁层的磁矩翻转,并使所述磁性功能层生成多态信号。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
H01L43/08
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件

H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
20220218
法律状态
公开 法律状态信息
CN202111337684 20220218 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人姓名
王锋