[发明专利] 一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备 – CN114068542A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010764630.1 |
申请日
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20200731 |
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公开（公告）号
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CN114068542A |
公开（公告）日
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20220218 |
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申请（专利权）人
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中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 | ||
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申请人地址
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100029 北京市朝阳区北土城西路3号
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发明人
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张铉瑀;许民;吴容哲;杨涛;高建峰;殷华湘 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本公开提供了一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备。电容器结构包括半导体基底、下电极及上支撑件，半导体基底上有多个焊垫，下电极位于焊垫上。上支撑件设置于相邻的下电极之间，下电极的顶部自上支撑件的上方凸出。存储器包括本公开任一实施例的电容器结构，电子设备包括本公开任一实施例的存储器。该制造方法可包括：在半导体基底上形成焊垫和叠层，叠层包括下模制层、下支撑层、上模制层及上支撑层；刻蚀叠层后形成电容孔和露出各焊垫；形成下电极和支撑孔；以上支撑层为掩模刻蚀下支撑层，同时上支撑层也被刻蚀，使下电极的顶部自上支撑层的上方凸出。本公开能够在降低上支撑件厚度的同时有效提高半导体电容器的容量。 | ||
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主权项
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1.一种半导体电容器结构，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫；下电极，所述下电极的底部位于所述焊垫上；上支撑件，设置于相邻的所述下电极的侧壁之间；其中，所述下电极的顶部自所述上支撑件的上方凸出。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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H01L27/108 | ||
| H 电学
H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220218 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010764630 20220218 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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北京辰权知识产权代理有限公司 11619 |
代理人姓名
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付婧 |