[发明专利] 一种半导体器件及其制造方法 – CN114093943A 全文链接一   全文链接二

 
基本信息
申请号
 CN202010857806.8
申请日
 20200824
公开（公告）号
 CN114093943A
公开（公告）日
 20220225
申请（专利权）人
 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
 吕寅准;高建峰;李俊杰;刘卫兵;卢一泓 专利类型 发明专利
摘要
 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以解决在去除位于沟道区之间、以及沟道区与半导体衬底之间的牺牲层的过程中，损伤到源/漏区，降低半导体器件性能的技术问题。所述半导体器件包括：半导体衬底、有源区、栅堆叠和侧墙。有源区位于半导体衬底上，有源区包括沟道区、以及位于沟道区两侧的源/漏区。至少位于沟道区的侧壁的栅堆叠，以及位于栅堆叠两侧的侧墙。其中，沿着远离沟道区中心的方向，源/漏区的材料与沟道区的材料之间的刻蚀选择比逐渐增大。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。
主权项
 1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的有源区，所述有源区包括沟道区、以及位于所述沟道区两侧的源/漏区；至少位于所述沟道区的侧壁的栅堆叠，以及位于所述栅堆叠两侧的侧墙；其中，沿着远离所述沟道区中心的方向，所述源/漏区的材料与所述沟道区的材料之间的刻蚀选择比逐渐增大。

 

 
IPC信息
IPC主分类号
 H01L29/78
H 电学

H01 基本电气元件

H01L 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件

H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕

 

 
法律状态信息
法律状态公告日
 20220225
法律状态
 公开 法律状态信息
CN202010857806 20220225 公开 公开

 

 
代理信息
代理机构名称
 北京知迪知识产权代理有限公司 11628
代理人姓名
 王胜利