[发明专利] 一种制备高化学计量比二维六方氮化硼的方法 – CN114075695A 全文链接一 全文链接二
| 基本信息 | |||
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申请号
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CN202010809791.8 |
申请日
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20200812 |
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公开（公告）号
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CN114075695A |
公开（公告）日
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20220222 |
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申请（专利权）人
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中国科学院半导体研究所 | ||
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申请人地址
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100083 北京市海淀区清华东路甲35号
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发明人
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王高凯;张兴旺;尹志岗 | 专利类型 | 发明专利 |
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摘要
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本发明提供一种制备高化学计量比二维六方氮化硼的方法，包括：S1，将淀积腔室抽至一本底真空度，其中，淀积腔室内放置有衬底及六方氮化硼靶材；S2，将衬底加热至目标温度后，在氮气气氛下对衬底进行退火；S3，在氮气气氛下，将脉冲激光照射到六方氮化硼靶材上，六方氮化硼靶材表面分子熔蒸后淀积在高温衬底上；S4，降温得到高化学计量数比的二维六方氮化硼。本发明提供的方法不需要提供大量的含氮有毒前驱体以保证产物的化学计量比，生长过程清洁环保，且得到的样品生长厚度精确可控，可实现二维h‑BN的高质量大面积生长。 | ||
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主权项
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1.一种制备高化学计量比二维六方氮化硼的方法，包括：S1，将淀积腔室抽至一本底真空度，其中，所述淀积腔室内放置有衬底及六方氮化硼靶材；S2，将所述衬底加热至目标温度后，在氮气气氛下对所述衬底进行退火；S3，在所述氮气气氛下，将脉冲激光照射到所述六方氮化硼靶材上，所述六方氮化硼靶材表面分子熔蒸后淀积在高温衬底上；S4，降温得到高化学计量数比的二维六方氮化硼。 | ||
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IPC信息
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IPC主分类号
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C30B23/00 | ||
| C 化学；冶金
C30 晶体生长 C30B 单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕 |
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法律状态信息
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法律状态公告日
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20220222 |
法律状态
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公开 | 法律状态信息 |
CN202010809791 20220222 公开 公开
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代理信息
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代理机构名称
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中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人姓名
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周天宇 |